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中美晶片戰｜內地EUV光刻研究獲重大突破 [複製鏈接]

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水晶宮

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發表於 25-5-1 22:18 |只看該作者 |倒序瀏覽 |打印

荷蘭光刻機巨頭阿斯麥（ASML）是目前唯一能生產EUV（極紫外光）光刻機的製造商，但被美國禁止向中國出售EUV光刻機，導致中國公司難以自行生產高端晶片。

不過內媒觀察者網等報道，中科院上海光學精密機械研究所由前ASML科學家林楠率領的團隊，近月成功開發出LPP-EUV光源，已達國際領先水準，對內地自主研發EUV光刻機具重大意義。

林楠團隊的研究成果近月發表於《中國激光》期刊。公開資訊顯示，EUV光刻機中最核心的分系統是激光等離子體（LPP）EUV光源，主要關注能量轉換效率（CE）。二氧化碳激光器激發的Sn等離子體 CE大於5%，是ASML光刻機的驅動光源，但此前這類光源由美國Cymer製造，在世界範圍內處於壟斷地位。

因此，林楠團隊考慮使用固體脈衝激光器代替二氧化碳激光作為驅動光源，但能量效率需要進一步提升。目前林楠團隊1um固體激光的CE最高可達到3.42%，超過了荷蘭和瑞士研究團隊的水平，雖然沒有超過4%，但已經達到了商用光源5.5%轉化效率的一半。

林楠團隊研究人員估計，光源實驗平台的理論最大轉換效率可能接近6%，團隊正計劃增加進一步的研究，未來有望進一步實現國產EUV光刻技術。